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第122章 多变频双重电磁场发生器（第1页）

U盘很快就插在了实验室里的办公电脑上。

将数据从里面读取出来之后，赵小侯先将数据分享给米来娣等人，然后自己就坐在电脑前，查看了起来。

不得不说，这些锗碳纳米晶体管的性能超出了赵小侯之前的预料。

如果说同等级的硅晶体管，性能为1的话，那么理论上的碳纳米晶体管性能就应该是110左右。

而锗碳纳米晶体管的性能则是198！乃是硅晶体管接近200倍的性能！

甚至于比理论上存在的碳纳米管芯片性能也要高出1倍。

“很好！这个数据说明我们项目取得了阶段性的成功！我宣布开展下一步的实验！”

赵小侯看完数据之后，就直接启动了下个阶段的实验。

这个阶段的实验说白了就是将锗碳纳米晶体管的体积缩小，并尝试用锗碳纳米晶体管制造出一款最简单的芯片。

这种芯片仅仅只能够完成电子信号的基本处理，执行基本的逻辑运算。

要说硅材料制作的芯片，都是利用光刻机在硅晶圆上刻出一个个晶体管，形成集成电路。

而赵小侯下一步实验则是与光刻机完全不同的方向和手段。

就是利用电磁场的不间断变频，将化学溶液里的锗碳纳米管聚合为一个个晶体管，最终形成锗碳纳米管集成电路，也就是所谓的锗碳芯片！

可以想象，这个实验的难度有多大。

毕竟光刻机用来雕刻的晶圆整体是固态的。

而化学溶液里的锗碳纳米管则是在溶液里不断移动的。

在最初的半个月时间里，赵小侯等人做了不下两百次实验。

这些实验里有些成功了，制造出了体积更小的晶体管。

但也可以说是失败了。

因为这些体积更小的晶体管很难聚合在一起形成集成电路。

偶尔十多个晶体管聚合在一起，就算是幸运了。

但这样十多个晶体管聚合成的芯片，也就只能进行一些很简单的运算。

要知道，现在的硅芯片，不说最顶尖的5纳米、7纳米、14纳米工艺制作出来的硅芯片。

光说现在用在医疗、生物、显示器等等方面的90纳米工艺芯片，其每平方毫米就有145万个晶体管！

要知道，实际上90纳米工艺制造的芯片，并不先进，已经属于较为落后的工艺了。

如果不是一些产品对于芯片的性能要求不高，恐怕早就淘汰了。

而赵小侯他们研制出来的锗碳纳米芯片，是每平方厘米5-10个晶体管的水平。

就这样的锗碳纳米芯片，虽说科研学术价值很高，但你真要拿出去生产，投放到市场上去，老百姓可是不会买账的。

实际性能太低了。

两者一比，完全就是天壤之别！

完全没有达到赵小侯的要求。

但就实验室现在的设备仪器，最多也就是将上百个晶体管聚合在一起的水平了。

因而想要实验继续下去，就得加钱！

不，是还得继续投钱买设备！

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